Tillverkare Produktnummer:
BTS282Z E3180A
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BTS282Z E3180A-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180
Inventarier:
12799437
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BTS282Z E3180A Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
TEMPFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
49 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 240µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-funktion
Temperature Sensing Diode
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-7-180
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
BTS282Z-E3180A
BTS282ZE3180AT-DG
BTS282ZE3180ATINTR
SP000399014
2156-BTS282Z E3180A-ITTR
BTS282ZE3180ATINTR-DG
BTS282ZE3180AINCT
SP000012360
BTS282ZE3180A
BTS282ZE3180AINTR-NDR
BTS282ZE3180AINDKR-NDR
BTS282ZE3180ANT
BTS282ZE3180ATINCT
IFEINFBTS282Z E3180A
BTS282ZE3180AATMA1
BTS282ZE3180AT
BTS282ZE3180ATINCT-DG
BTS282ZE3180AINCT-NDR
BTS282ZE3180AINTR
BTS282ZE3180AINDKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS84P-E6327
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
IPA80R1K0CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
MIC94051YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT143
